等离子去胶机:等离子去胶机工作原理的简单介绍_上海尔迪仪器科技有限公司
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等离子去胶机:等离子去胶机工作原理的简单介绍

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等离子去胶机:等离子去胶机工作原理的简单介绍

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  • 发布时间:2021-02-04 13:29

等离子去胶机:等离子去胶机工作原理的简单介绍

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等离子去胶机的优点是去胶操作简单,去胶速率高,表面清洁光滑,无划痕,成本低廉,环保。操作方法是将反应室中的压力保持在1.3-13pa,在真空室中的两个电极之间扩展平行气流方向,将要去除的膜插入到带有适量氧气的石英舟中,然后增加高频功率。电极之间会产生薰衣草辉光放电。通过调节功率,流量和其他工艺参数,可以获得不同的除胶率。清洁胶膜后,辉光消失。


用于等离子去胶机的气体是氧气,去除硅晶片上的聚酰亚胺膜的工作原理很简单,即活性氧可以迅速将聚酰亚胺膜氧化成挥发性气体,通过机械泵将其抽走。具体方法是将少量氧气引入真空反应系统。放置在石英管中的硅芯片的高频信号由具有1500v高压的高频信号发生器产生。主要目的是形成强电磁场以使氧气电离。等离子体的辉光柱,包含氧离子,活化的氧原子,氧分子和电子的混合物。


等离子去胶机通常使用电容耦合等离子体平行板反应器。在平行电极反应器中,反应离子刻蚀腔采用阴极面积小,阳极面积大的不对称设计,被刻蚀物放置在面积小的电极上。在射频电源产生的热运动作用下,带负电荷的自由电子由于质量小,移动速度快而速度到达阴极。而正离子由于质量大,速度慢而不能同时到达阴极,从而在阴极附近形成带负电的鞘。在护套的加速下,正离子垂直轰击硅晶片的表面,以促进表面上的化学反应和反应产物的分离,从而导致高蚀刻速率。等离子去胶机的离子轰击还使得能够进行各向异性蚀刻以实现等离子去胶机和等离子体蚀刻的相同原理。不同之处在于反应气体的类型和等离子体的激发方法。

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